close menu
  • MRAM

Teledyne e2vのMRAM、EV2A16Aは、エバースピン社のMR2A16Aの信頼性向上版です。これは、重要なデータを恒久的に保存し、素早く取り出す必要があるアプリケーションに最適なメモリーソリューションです。航空宇宙分野、防衛分野などの重要な組み込みアプリケーションの要件に完全に対応できます。

磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)は、高速な読み出しと書き込みが可能で、不揮発性と無制限の耐久性も兼ね備えた、他に類を見ない技術です。この技術により、電源喪失時にもデータが保護され、定期的なリフレッシュが必要なくなります。

EV2A16A(エバースピン社のMR2A16Aの信頼性向上版)は、重要なデータを恒久的に保存し、迅速に取り出す必要があるアプリケーションに最適なメモリーソリューションです。航空宇宙分野、防衛分野などの重要な組み込みアプリケーションの要件に完全に対応できます。

MRAMは、データを恒久的に保存し、素早く取り出す必要のあるあらゆるアプリケーションにとって理想的なソリューションです。MRAMは3つの理由から、防衛分野と航空宇宙分野のお客様に役立つ戦略的な選択肢と認識されています。3つの理由とは、20年以上のデータ保持が可能な不揮発性メモリーであること、35nsという超高速の読み出し・書き込みが可能なこと、卓越した耐久性を備えていることです。

アプリケーション

  • 防衛:レーダー、ECM、フィールド通信、電子戦
  • 航空宇宙:フライトコンピュータ、ディスプレイ、エンジン制御
  • 工業:機器制御用コンピュータ

主な特徴

  • パッケージ:44リード TSOP タイプ-II、SRAMピンアウト対応
  • インダストリ・レベルの温度範囲(-40~110℃)およびミリタリ・レベルの温度範囲(-55~125℃)
  • 単一3.3V電源
  • 高速な読み書きサイクル(35ns)
  • フレキシブル・データバス制御:8ビットアクセスまたは16ビットアクセス
  • 完全不揮発性動作

利点

  • 実質的に無制限の読み書きが可能な不揮発性メモリー
  • 高速 – 35nsの読み書きサイクル
  • ミリタリ・グレードの温度範囲で信頼性の高い動作
  • 小型で高いスケーラビリティ

MMR


デバイス 製品の説明 温度範囲 パッケージ データシート
EV2A16A 4Mビット磁気抵抗RAM 8ビット/16ビット アクセス時間35ns アップスクリーニング TSOP II
EV2A08A 4Mビット磁気抵抗RAM 8ビット アクセス時間35ns アップスクリーニング TSOP II

お問合せフォーム

TELEDYNE e2vのエキスパートがすぐに回答します。