メモリ
航空宇宙、防衛市場や用途のための高度な埋め込み型半導体のグローバルプロバイダであるe2vは、高信頼性市場に対応するために幅広いメモリラインを開発しました。
e2vでは、多様なタイプの事業用レディメード (COTS) メモリに対する拡張環境オペレーション要件をサポートしています。メモリの提案には、お客さまの要件に応じた追加の品質テスト、バーンイン、温度サイクル、その他の拡張温度範囲などのその他のオプションが含まれています。
e2vでは、多様なタイプの事業用レディメード (COTS) メモリに対する拡張環境オペレーション要件をサポートしています。メモリの提案には、お客さまの要件に応じた追加の品質テスト、バーンイン、温度サイクル、その他の拡張温度範囲などのその他のオプションが含まれています。
機能
温度範囲：
| 商業温度： 0°C～85°C0°C～90°C |
産業温度：-40°C～85°C -40°C～105°C |
| 軍事温度： -55°C～125°C |
カスタムテンプレートを使用可能 |
DC/AC試験済み
パッケージ
- リボール
- ROHS準拠オプション
- スタックパッケージ
- 各モジュールに複数のダイ
- カスタム･フォ－ム・ファクタ
このDDR4は、宇宙機器用LS1046、KU060とのSiPソリューションにも対応したメモリです。
製品概要
DDR4は、耐放射線性能を有する4GBのマルチチップパッケージ（MCP）による超高密度メモリソリューションで、宇宙用のエンベデッドシステムにご利用頂くことができます。
宇宙用途に適した特徴
- 宇宙用としての品質認定
- NASAレベル1まで対応（NASAのEEE-INST-002 – Section M4 – PEMsによる）
- ECCSクラス1まで対応（ECSS-Q-ST-60-13C）
- 耐放射線性能
- SEL LETしきい値 > 60.88MeV.cm²/mg
- SEU LETしきい値8.19MeV.cm²/mg Upset（アップセット）断面積@60.88MeV.cm²/mg=5.55E-12cm²/bit
- SEFI LETしきい値2.6MeV.cm²/mg SEFI（シングルイベントファンクショナルインタラプト）断面積@60.88MeV.cm²/mg=2.22E-4cm²/device
- TIDターゲット 100Krad：2020年夏発表予定
性能、サイズ、耐故障性
- 4GB；72 ビット（64 ビットデータ + 8 ビットECC）
- 2.4GT/s ターゲット、2.1GT/s まで有効
- サイズ 15 mm x 20 mm x 1.92 mm
サンプル出荷を開始
- メカニカルサンプル：あり
- EM: 2020年6月
オーダー情報
| 製品名 | 耐放射線性能 | DDRサイズ | バス幅 | 温度範囲 | パッケージタイプ | 速度（MT/s） | Rev | 宇宙グレード |
| DDR4 | T：RAD TOL（耐放射線性） | 04G : 4 Gbyte
08G : 8 Gbyte |
72 : 72 bits | M : -55/125C
A : -40/105C C : 0/70C |
ZR：PBGA 積層ワイヤボンディング（C5 共晶はんだ）
ZS：PBGA 積層ワイヤボンディング（C5 RoHS対応） |
T : 1866
1 : 2133 2 : 2400 |
A | -N1：NASAレベル1
-N2：NASAレベル2 -N3：NASAレベル3 EM：エンジニアリングモデル EQM：エンジニアリング認定モデル -E1：ECCSクラス1 -E2：ECCSクラス2 -E3：ECCSクラス3 |
注記： 8GB品は製品化を計画中。