耐放射線、宇宙機器用4GB DDR4メモリ T04G72M
このDDR4は、宇宙機器用LS1046、KU060とのSiPソリューションにも対応したメモリです。
製品概要
DDR4は、耐放射線性能を有する4GBのマルチチップパッケージ（MCP）による超高密度メモリソリューションで、宇宙用のエンベデッドシステムにご利用頂くことができます。
宇宙用途に適した特徴
- 宇宙用としての品質認定
- NASAレベル1まで対応（NASAのEEE-INST-002 – Section M4 – PEMsによる）
- ECCSクラス1まで対応（ECSS-Q-ST-60-13C）
- 耐放射線性能
- SEL LETしきい値 > 60.88MeV.cm²/mg
- SEU LETしきい値8.19MeV.cm²/mg Upset（アップセット）断面積@60.88MeV.cm²/mg=5.55E-12cm²/bit
- SEFI LETしきい値2.6MeV.cm²/mg SEFI（シングルイベントファンクショナルインタラプト）断面積@60.88MeV.cm²/mg=2.22E-4cm²/device
- TIDターゲット 100Krad：2020年夏発表予定
性能、サイズ、耐故障性
- 4GB；72 ビット（64 ビットデータ + 8 ビットECC）
- 2.4GT/s ターゲット、2.1GT/s まで有効
- サイズ 15 mm x 20 mm x 1.92 mm
サンプル出荷を開始
- メカニカルサンプル：あり
- EM: 2020年6月
オーダー情報
| 製品名 | 耐放射線性能 | DDRサイズ | バス幅 | 温度範囲 | パッケージタイプ | 速度（MT/s） | Rev | 宇宙グレード |
| DDR4 | T：RAD TOL（耐放射線性） | 04G : 4 Gbyte
08G : 8 Gbyte |
72 : 72 bits | M : -55/125C
A : -40/105C C : 0/70C |
ZR：PBGA 積層ワイヤボンディング（C5 共晶はんだ）
ZS：PBGA 積層ワイヤボンディング（C5 RoHS対応） |
T : 1866
1 : 2133 2 : 2400 |
A | -N1：NASAレベル1
-N2：NASAレベル2 -N3：NASAレベル3 EM：エンジニアリングモデル EQM：エンジニアリング認定モデル -E1：ECCSクラス1 -E2：ECCSクラス2 -E3：ECCSクラス3 |
注記： 8GB品は製品化を計画中。